[发明专利]硅片表面绒面结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011166572.9 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112349812A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 赵宇航;胡胜;杨帆;褚海波;谢岩 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种硅片表面绒面结构的制备方法,包括:提供硅片,对所述硅片的表面进行无掩膜刻蚀和/或无掩膜离子注入的前处理,使所述硅片的表面变粗糙;将变粗糙的所述硅片表面进行碱制绒,以在变粗糙的所述硅片表面形成金字塔绒面结构。通过对硅片进行前处理,使硅片表面变得粗糙,利于后续碱制绒工序,以在变粗糙的所述硅片表面形成更多的金字塔绒面结构;通过碱制绒,碱法刻蚀的各向异性刻蚀,最终在变粗糙的所述硅片的表面形成金字塔绒面结构。本发明的方法不需要掩膜,简化工艺,形成均匀的绒面结构,制备的“金字塔”结构数量多,吸光效果好,适用于大规模量产。
搜索关键词: 硅片 表面 结构 制备 方法
【主权项】:
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