[发明专利]气相沉积晶圆承载装置在审
申请号: | 202011166734.9 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112251736A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 吴铭钦;刘峰 | 申请(专利权)人: | 苏州雨竹机电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/52;H01L21/673 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 王富强 |
地址: | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明气相沉积晶圆承载装置,包含至少一碟盘以及一大盘模块,碟盘中央设有一晶圆定位通孔、边缘设有一呈环状的衔接部;大盘模块具有碟盘槽以供碟盘定位,且该碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入,环槽沟衔接一入气引道,入气引道相对于与环槽沟的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量,以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使碟盘悬浮及旋转,环槽沟衔接于一导出口,以供气浮气体排出,藉此使得晶圆的受热效果及成膜效果更为均匀。 | ||
搜索关键词: | 沉积 承载 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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