[发明专利]耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置在审
| 申请号： | 202011167677.6 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496690A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 段蛟;杨金全;陈星建;黄允文 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;田宇 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，包括：提供第一衬底，其内具有贯通的第一通孔；在第一通孔内形成第二衬底；在第一衬底和第二衬底上形成致密的耐腐蚀涂层；对耐腐蚀涂层和第二衬底进行局部加热处理，形成贯穿所述耐腐蚀涂层和第二衬底的第二通孔，并在第二通孔内侧壁形成致密层。本发明方法得到的致密层与第二衬底和耐腐蚀涂层之间的结合力较强，因此，所述致密层在被等离子体轰击时不易被轰击下来形成颗粒污染，因此，有利于降低颗粒污染。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 半导体 零部件 形成 方法 反应 装置 | ||
【主权项】：
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