[发明专利]一种硅集成具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011168094.5 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112670086A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 马春蕊;刘明;范江奇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/08;H01G4/12;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及储能薄膜材料领域，具体涉及一种硅集成具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法，包括硅基底、设置于所述硅基底表面的过渡层、设置于所述过渡层表面的缓冲层和设置于所述缓冲层表面的0.88BaTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 集成 具有 高储能 密度 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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