[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202011169193.5 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112750833A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 安敞茂;姜相列;朴瑛琳;徐钟汎;安世衡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L49/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈晓博;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种半导体装置。半导体装置包括:接地垫,位于基底上;下电极,位于接地垫上,下电极电连接到接地垫;介电层,位于下电极上,介电层沿下电极的轮廓延伸;上电极,位于介电层上;以及上板电极,位于上电极上并在其中包括第一氟(F),其中,上板电极包括面对上电极的界面,并且其中,上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的