[发明专利]集成芯片在审
| 申请号： | 202011169903.4 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112750825A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 苏焕杰;张家豪;庄正吉;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及含有第一晶体管与第二晶体管配制于基板上的集成芯片。第一晶体管包括第一源极/漏极区与第二源极/漏极区于基板上，并包含第一通道结构直接位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一栅极配置于第一通道结构上，并位于第一气体间隔物结构与第二气体间隔物结构之间。第二晶体管包括第三源极/漏极区与第四源极/漏极区于基板上，并包含第二通道结构直接位于第三源极/漏极区与第四源极/漏极区之间。第二栅极配置于第二通道结构上，并位于第三气体间隔物结构与第四气体间隔物结构之间。集成芯片还包含高介电常数的介电间隔物结构于第一通道结构与第二通道结构之间的低介电常数的介电鳍状结构上，以分开第一栅极与第二栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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