[发明专利]沟槽功率半导体器件及制造方法在审
申请号: | 202011171440.5 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112216743A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 朱袁正;周锦程 | 申请(专利权)人: | 无锡新洁能股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;涂三民 |
地址: | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种沟槽功率半导体器件及制造方法,它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第二类沟槽、第三类沟槽、第一类氧化层、第二类氧化层、第三类氧化层、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、第三类导电多晶硅、第二导电类型体区、第一导电类型源区、绝缘介质层、源极金属、有源区、第一过渡区与第二过渡区;所述第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层以及第三类氧化层的厚度,第二类氧化层与第三类氧化层的厚度相等。本发明由于第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层、第三类氧化层以及第四类氧化层的厚度,可以保证终端击穿电压高于元胞击穿电压,提高了器件可靠性。 | ||
搜索关键词: | 沟槽 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司,未经无锡新洁能股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011171440.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二合一纸塑复合编织袋制作方法
- 下一篇:电机及其绕组冷却结构
- 同类专利
- 专利分类