[发明专利]高介电常数金属栅的制造方法有效
| 申请号： | 202011171782.7 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112289747B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 于嫚;史志界;林宗模 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数金属栅的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，形成伪栅极结构和第一层层间膜；步骤二、光刻打开PMOS的形成区域；步骤三、进行回刻将PMOS的形成区域的顶部表面高度降低以抵消后续金属栅填充中由于PMOS的形成区域中的栅极沟槽中多了一层P型功函数层对栅极沟槽的深宽比的影响；步骤四、去除伪多晶硅栅并形成栅极沟槽；步骤五、在各栅极沟槽中填充金属栅，PMOS的金属栅包括依次叠加的P型功函数层、N型功函数层和栅极导电材料层，NMOS的金属栅包括依次叠加N型功函数层和栅极导电材料层；步骤六、进行第二次平坦化工艺使形成了金属栅后的NMOS和PMOS的形成区域的顶部表面相平。本发明能提高PMOS的金属栅的填充工艺窗口和填充质量。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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