[发明专利]一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011171818.1 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112331491A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张轲;周岩;曹中秋;王艳 | 申请（专利权）人： | 沈阳师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/46;H01G11/30;C23C18/34;C25D11/34 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110034 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，包括如下步骤：1)铜片表面预处理；2)在铜片表面化学镀NiB薄膜；3)采用原位电化学阳极氧化的方法处理镀膜后的铜片，得到B掺杂的NiO/Ni(OH) |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 氢氧化 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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