[发明专利]一种去除硅片抛光面表面大颗粒的方法有效
| 申请号： | 202011172168.2 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112271132B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;洪漪;胡久林 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/68;B08B5/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体硅片加工技术领域。一种去除硅片抛光面表面大颗粒的方法，通过物理吹扫去除硅片抛光面表面大颗粒；调节吹扫角度，吹扫角度控制在40°±2°，所述吹扫角度指的是吹扫气枪的出气口的轴向与硅片之间的夹角；调节吹扫压力，吹扫压力控制在0.15±0.02Mpa，调节吹扫距离，吹扫距离控制在7±0.5cm。本专利通过改变了以往传统化学方式去除颗粒的方法，通过物理方法有效了减少了对于硅片厚度变化影响，通过物理方法去除硅片表面颗粒，反洗率由15％降到了2％以内，有效地降低生产成本，提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 硅片 抛光 表面 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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