[发明专利]光学子组件在审
申请号: | 202011172760.2 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112838139A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 野口大辅;山本宽 | 申请(专利权)人: | 日本剑桥光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/0203 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蕴;杜嘉璐 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种小型、易于制造、且具有良好的高频特性的光学子组件。根据光学子组件,包括:孔眼部件,其包括第一面、第二面以及多个通孔;多个引线端子,其被输入差分电信号;中继基板,其包括沿第一面的法线方向延伸的引线连接面和与引线连接面相邻的第一接合面,跨引线连接面和第一接合面形成有第一及第二导体图案,形成于引线连接面的第一及第二导体图案通过焊料等与引线端子连接而被输入差分电信号;元件搭载部,其包括形成有第三及第四导体图案的第二接合面;以及光学元件,其将光信号和差分电信号的一方转换为另一方,第一接合面的第一及第二导体图案通过接合线与第三及第四导体图案连接,第一及第二接合面的各法线方向为同一方向。 | ||
搜索关键词: | 学子 组件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的