[发明专利]一种陶瓷焊柱阵列的热疲劳寿命优化方法有效

专利信息
申请号: 202011173256.4 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN112287582B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 董刚;李依依;郝飞飞;朱樟明;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F111/10;G06F111/04;G06F119/02;G06F119/08;G06F119/14
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种陶瓷共栅阵列的热疲劳寿命优化方法,主要解决现有CCGA热疲劳寿命优化时间周期长和成本高的缺陷,其方案是:建立初始有限元模型,计算CCGA的热疲劳寿命L;选取对CCGA热疲劳寿命有影响的因素;将所选因素参数化,计算因素对CCGA热疲劳寿命的灵敏度;选取高灵敏度因素作为关键因素;选取关键因素参数建立正交试验表;根据该试验表建立相应的有限元模型进行试验并处理,得到最优因素组合;计算最优因素组合下的CCGA热疲劳寿命L';若L大于L',按照最优因素组合参数设计基于CCGA的SIP结构。本发明在设计层面提高了CCGA热疲劳寿命,减小了时间周期和成本,可用于基于CCGA的SIP的结构设计。
搜索关键词: 一种 陶瓷 阵列 疲劳 寿命 优化 方法
【主权项】:
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