[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层和介电层；在经过平坦化且未经研磨的所述堆叠结构的栅线隙区中间隔形成多个凹槽，每一凹槽贯穿多层栅极层和介电层；在所述堆叠结构表面及所述多个凹槽中覆盖绝缘层，其中所述多个凹槽上方的绝缘层表面具有凹陷；以及对所述绝缘层进行研磨以磨平所述凹陷。