[发明专利]一种沟槽型半导体功率器件的终端保护结构在审
| 申请号： | 202011176138.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112340202A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李金星 | 申请（专利权）人： | 温州思鸣达工业产品设计有限公司 |
| 主分类号： | B65D25/10 | 分类号： | B65D25/10;B65D81/07 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海区南白象街道*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型半导体功率器件的终端保护结构，包括器件壳体、容纳盒、引脚和盖板，器件壳体位于容纳盒内，容纳盒顶端卡接有盖板，盖板底端与器件壳体顶端接触，器件壳体底端设有放置板，放置板两端均通过挤压机构与容纳盒侧壁连接，若干引脚分别与两个挤压机构相对应，两个挤压机构与容纳盒底壁之间均设有夹持机构，本发明所达到的有益效果是：使器件壳体具有一定的缓冲性，防止器件壳体受到撞击而受损，通过若干第二弹簧的作用力，还能够使器件壳体与盖板底端紧密接触，保证盖板与容纳盒之间扣合的更加紧密，同时，还能够对器件壳体进行多重防护，从而防止器件壳体内部元件受损，保证器件壳体内部元件的使用寿命和使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体 功率 器件 终端 保护 结构 | ||
【主权项】：
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