[发明专利]柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202011176681.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112436058A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 宋家琪;郑克丽 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法。柔性InGaZnO薄膜晶体管，包括：柔性衬底，柔性衬底为柔性PI衬底；缓冲层，缓冲层位于柔性衬底上侧；ITO栅极，ITO栅极位于缓冲层上侧；高K介质层，高K介质层位于ITO栅极上侧；InGaZnO有源层，InGaZnO有源层位于高K介质层上侧；ITO源极，ITO源极位于有源层上侧；ITO漏极，ITO漏极位于有源层上侧。通过将栅极、源极和漏极的材料设置为ITO，使得薄膜晶体管整体具有良好的柔韧性和高透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 ingazno 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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