[发明专利]暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的制备在审

专利信息
申请号: 202011177441.0 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112169785A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 刘建军;刘文琦;左胜利 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: B01J23/10 分类号: B01J23/10;B01J35/02;B01J35/08;C01F17/235;C02F1/30;C02F101/38
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地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的制备方法。本发明通过简单的水热合成方法,通过控制反应条件制备了纳米球形、纳米立方和纳米棒状等不同形貌和晶面暴露的CeO2纳米材料。二氧化铈的制备过程包括如下步骤:分别将适量的铈盐和不同浓度的强碱溶于蒸馏水中配成溶液,在体系中加入适量的表面活性剂,常温搅拌后,将混合液转移到水热釜中反应,通过控制反应温度,获得不同形貌的产物。本发明操作简单、通过改变近似制备条件可以很好调控CeO2纳米粒子的形貌及其高能晶面组成,对相关催化材料的应用具有重要意义。
搜索关键词: 暴露 高能 晶面二 氧化 光催化剂 制备
【主权项】:
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