[发明专利]半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用在审
| 申请号： | 202011177963.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289935A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 冯治华;邵君 | 申请（专利权）人： | 无锡极电光能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用，所述方法包括：(1)制备离子水溶液；(2)将半导体金属氧化物薄膜浸入50‑90℃的所述离子水溶液中，清洗，干燥。该方法处理得到的半导体金属氧化物薄膜的亚结构更加一致均匀，膜层均一性、平整度显著提高，有利于后续膜层的沉积，同时有利于提高界面上氧化物与钙钛矿的结合，抑制电子空穴复合，从而提高钙钛矿太阳能电池转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属 氧化物 薄膜 其后 处理 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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