[发明专利]SiGe(:B):Ga层的形成在审
| 申请号： | 202011179473.4 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112928014A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | A·西卡韦;C·波瑞特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/161;H01L29/167;C23C16/18;C23C16/22;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在第一方面，本发明涉及一种形成SiGe(:B):Ga层(40)的方法，该方法包括：(a)在含C的Ga前体存在下,在基材(10)上沉积SiGe(:B):Ga，从而形成SiGe(:B):Ga层(40)的第一部分(20)；和(b)在不存在含C的Ga前体的情况下，在第一部分(20)上沉积SiGe(:B)，从而形成SiGe(:B):Ga层(40)的第二部分(30)。 | ||
| 搜索关键词： | sige ga 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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