[发明专利]倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括高纯砷化镓衬底和依次设置在高纯砷化镓衬底上的公共负电极接触层、砷化镓掺硫吸收层、本征砷化镓阻挡层、氮化硅钝化层，以及正电极接触层、正电极、负电极；本征砷化镓阻挡层上设置有容纳正电极接触层的正电极凹槽；本征砷化镓阻挡层、砷化镓掺硫吸收层上开设有倒梯形负电极凹槽，氮化硅钝化层分布在本征砷化镓阻挡层表面以及倒梯形负电极凹槽的侧面；正电极、负电极分别设置在正电极接触层的、倒梯形负电极凹槽表面，负电极通过倒梯形负电极凹槽的底面与公共负电极接触层连接。本发明能够在正照和背照模式下工作，采用倒梯形负电极凹槽，有利于提高电学连接的可靠性。