[发明专利]光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法

摘要

本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法，包括以下步骤：将待优化的斜线图形朝第一旋转方向旋转，直至每根线条处于X方向或者Y方向，得到第一图形，进行光源优化处理，得到第一优化光源；对所述斜线图形进行均匀规则的曼哈顿台阶化处理，以将每根线条的两侧直线式边缘处理成均匀规则的曼哈顿台阶，得到第二图形；将第一优化光源朝第二旋转方向旋转，得到第二优化光源；将所述第二图形作为初始掩模图形，使用第二优化光源对其进行掩模优化处理。本申请的优化方法可以得到更好的工艺窗口和更好的曝光结果，从而降低了斜线评估方法带来的困扰。