[发明专利]凹槽结构的制作方法、三维NAND存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种凹槽结构的制作方法、三维NAND存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：在堆叠体远离衬底的一侧顺序形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；对第二掩膜层和第一掩膜层进行刻蚀，以形成第一通孔，第一通孔位于第一掩膜层中的部分为第一通孔段，第一通孔位于第二掩膜层中的部分为第二通孔段，第一通孔段一端与堆叠体连通，第一通孔段的另一端与第二通孔段连通；通过第一通孔段对第一掩膜层进行刻蚀，使第一通孔段横向扩展形成第三通孔段，以形成第二通孔；利用处理后的第一掩膜层和第二掩膜层，对堆叠体进行刻蚀，以形成第三通孔，第三通孔贯穿至衬底。上述方法通过增大第二通孔顶部的尺寸，降低了第二通孔中材料填充的难度。