[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011182519.8 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114429990A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;李凤美;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层、位于第一介质层内的若干栅极结构、以及位于栅极结构侧壁面的侧墙，并在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏结构，所述第一介质层还位于所述源漏结构表面，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区；在形成所述侧墙之后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干导电开口，所述导电开口暴露出所述源漏结构表面，并且，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第二区的侧墙的刻蚀速率小于对所述第一区的侧墙的刻蚀速率；在所述导电开口内形成导电结构。从而，提高了半导体结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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