[发明专利]一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器

摘要

本发明公开了一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器。本发明通过将直接驱动输出级NMOS管的驱动电路—即NMOS驱动电路的供电范围限制在VF+到地电压之间，因此输出级NMOS管的栅‑源电压范围就被限制在VF+到地电压之间；通过将直接驱动输出级PMOS管的驱动电路—即PMOS驱动电路的供电范围限制在VIN到VF‑之间，因此输出级PMOS管的栅‑源电压范围就被限制在VIN到VF‑之间。本发明可避免高电压、大电流MOSFET驱动器的输出峰值电流大小随电源电压的变化而迅速变化，提高了MOSFET驱动器电路的应用适用性。同时，可广泛应用于高电压、大电流MOSFET驱动器集成电路的设计中，具有良好的应用前景和经济效益。