[发明专利]芯片有效
| 申请号： | 202011183321.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289816B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郑翔及;赖一丞;王信杰;郭世斌;陈国祥;王友志;陈忠宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片。芯片包括可挠基板、薄膜晶体管、重布线层、第一电力轨线层及第二电力轨线层。薄膜晶体管设置于可挠基板上。重布线层设置于薄膜晶体管上方。第一电力轨线层设置于重布线层上方，第一电力轨线层用以提供第一电压至薄膜晶体管。第二电力轨线层设置于第一电力轨线层上方，第二电力轨线层用以提供第二电压至薄膜晶体管，其中第二电力轨线层以网格形状设置。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
