[发明专利]一种三维存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器件及其制造方法，先形成顶部选择栅极切线，所述顶部选择栅极切线将堆叠层分成多个存储区；再形成贯穿所述堆叠层的沟道孔，并在沟道孔中依次形成存储层和沟道层，该沟道孔包括位于存储区的存储沟道孔和贯穿顶部选择栅极切线的虚拟沟道孔；然后在所述虚拟沟道孔中形成遮挡物，使在对存储沟道孔的底部进行刻蚀形成底部通孔时，对所述虚拟沟道孔进行遮挡。由此可以避免对虚拟沟道孔的底部进行刻蚀，进而避免底部刻蚀所带来的缺陷，从而可以减小产品的缺陷密度。