[发明专利]存储器单元及其形成方法、存储器器件在审
| 申请号： | 202011186481.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750949A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈朝阳;蔡竣扬;黄国钦;朱文定;吴承润 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例针对在底部电极处包括高电子亲和力介电层的存储器单元。高电子亲和力介电层是垂直堆叠在底部电极和底部电极上面的顶部电极之间的多个不同介电层中的一个。此外，高电极电子亲和力介电层在多个不同的介电层中具有最高的电子亲和力，并且最靠近底部电极。不同的介电层在材料系统和/或材料组分方面是不同的。应该理解，通过将高电子亲和力介电层布置成最靠近底部电极，至少在存储器单元是RRAM时，减小了在循环期间存储器单元被卡住的可能性。因此，降低了硬复位/故障位的可能性。本发明的实施例还涉及存储器单元及其形成方法、存储器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 及其 形成 方法 器件 | ||
【主权项】：
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