[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202011187100.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114429943A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 于海龙;荆学珍;张浩;雒建明;张田田;韩静利;孙天杨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层；去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011187100.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种烃油转化的方法及装置
- 下一篇：一种原料油的转化方法
