[发明专利]掺杂复合结构硅量子点及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011189084.X | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112226229B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 郑灵浪;高志飞;谢浩 | 申请（专利权）人： | 宁波革鑫新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/59;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂复合结构硅量子点及其制备方法与应用。所述掺杂复合结构硅量子点制备方法包括如下步骤：将硅的无机氧化物粉体和硼粉体在含有还原性气体的环境中进行等离子处理，将部分所述硅的无机氧化物还原反应，然后冷却处理，生成掺杂复合结构硅量子点。所述掺杂复合结构硅量子点包括核体和包覆于所述核体的壳层，且所述核体的材料为掺硼硅晶体，所述壳层的材料为二氧化硅。所述掺杂复合结构硅量子点的制备方法能够一步生成掺杂复合结构硅量子点，提高了生产效率，降低了生成成本。由于本发明制备方法条件易控，能够保证生成的掺杂复合结构硅量子点发光性能稳定，而且生成的掺杂复合结构硅量子点粒径小，颗粒均匀，且为核壳的复合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 复合 结构 量子 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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