[发明专利]光刻曝光系统和光刻刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011189146.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112269303A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 范晓;王函;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;H01L21/033;G03F1/80 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光系统和光刻刻蚀方法。其中曝光系统包括：光刻光路，所述光刻光路包括入射端和出射端，所述光刻光路的入射端设有光源，所述光刻光路的出射端设有载片台；所述光源发出光线照向所述载片台以形成所述光刻光路，用于光刻位于所述载片台上的目标晶圆。光罩，所述光罩设于所述光刻光路上，位于所述光源的出射端，用于将所述光源发射的光线图案化。挡光板，所述挡光板设于所述光罩的出射端，包括挡光区和透光区，所述挡光区环绕在所述透光区的外周，用于在对目标晶圆进行光刻时遮挡住所述目标晶圆的洗边区。可以解决相关技术中的去胶处理对于某些特殊工艺无法适的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 系统 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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