[发明专利]紫外发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011189257.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112397621B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;刘春杨;梅劲;葛永晖;张武斌;王烨 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和沉积在所述衬底上的外延层，所述外延层包括顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型AlGaN层，所述外延层还包括位于所述电子阻挡层和所述P型AlGaN层之间的反射层，所述反射层由若干交错排列的凸块组成，所述凸块的凸出方向与所述外延层的沉积方向相同且所述凸块的横截面的面积沿所述外延层的沉积方向逐渐减小。本公开能够大幅提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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