[发明专利]硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片有效

专利信息
申请号: 202011189724.7 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112731718B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 陈弈星;唐平大;于钦杭 申请(专利权)人: 南京芯视元电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/13
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 俞翠华
地址: 210032 江苏省南京市江北*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片,方法包括:在衬底上淀积第一介电层;刻蚀第一介电层形成第一开口结构;淀积第一金属层填充第一开口结构形成焊盘通孔塞,刻蚀第一金属层形成焊盘结构;在第一金属层上淀积第二介电层和第三介电层;刻蚀第三介电层形成第二开口结构;刻蚀第一介电层和第二介电层,形成第三开口结构;淀积第二金属层填充第三开口结构和第二开口结构,形成像素电极通孔塞和像素电极结构;刻蚀第三介电层和第二介电层露出焊盘结构,完成硅基液晶显示芯片的制造。本发明可以使芯片焊盘结构位置低于像素电极位置,芯片整体平整度得到大幅度提高,从而可以精确控制液晶厚度,提高硅基液晶显示芯片性能。
搜索关键词: 液晶显示 芯片 制造 方法
【主权项】:
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