[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011190458.X | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750761A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 汪于仕;叶柏男;邱钰婷;林群能;陈佳政;陈亮吟;叶明熙;黄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了一种半导体装置及其制造方法，包括形成穿过层间介电(interlayer dielectric,ILD)层的开口，以露出设置于金属化层中导电部件上方的接触蚀刻停止层(contact etch stop layer,CESL)。使用光敏材料、微影技术及停止于CESL上的干式蚀刻制程来形成开口。一旦露出CESL，便进行CESL穿透制程以将开口延伸穿过CESL并露出导电部件。CESL穿透制程是一种CESL对ILD层具有高选择性的可调性的制程。一旦进行CESL穿透制程，可沉积导电填充材料以填充或过填充开口，然后在形成半导体装置的中间步骤中，将其与ILD层平坦化，以在导电部件上方形成接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
