[发明专利]一种基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011191039.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112309833A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王萱;孙中琳;刘尚;刘大铕 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/34;H01L29/788 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。其制备方法为在P型高掺杂晶圆基底上沉积隔离层、浮栅层、隧穿层，利用ALD法在隧穿层上沉积IGZO薄膜层，然后蚀刻掉多余的IGZO部分并蚀刻出源漏区域，沉积Al作为源漏。本发明ALD法沉积IGZO膜制备的闪存单元的加工温度较低，性能较好，利用ALD沉积IGZO薄膜来取代传统的硅通道，提高闪存单元的性能，降低漏电流。本发明采用ALD法沉积IGZO纳米薄膜作为闪存单元的channel层，解决了硅沟道闪存单元不能用于柔性基底材料的问题，为未来柔性存储器发展奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ald 沉积 igzo 闪存 单元 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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