[发明专利]具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法

摘要

本发明题为具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法。本发明公开了一种在半导体衬底的上表面的鳍上形成存储器单元、高压器件和逻辑器件的方法，以及由此形成的存储器器件。存储器单元形成在一对鳍上，其中浮栅设置在该对鳍之间，字线栅围绕在该对鳍周围，控制栅设置在该浮栅上方，并且擦除栅设置在该对鳍上方并部分地设置在该浮栅上方。高压器件包括围绕在相应鳍周围的HV栅，并且逻辑器件包括逻辑栅，该逻辑栅为金属并围绕在相应的鳍周围。