[发明专利]在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法及系统在审
| 申请号： | 202011193115.9 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201571A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张杰;邹达;秦国双 | 申请（专利权）人： | 英诺激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 巫苑明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法及系统，所述系统包括超快激光模组、纳米墨水打印模组、长脉宽纳秒紫外激光模组及机械平台；所述机械平台用于承载碳化硅基板；所述超快激光模组设于机械平台上方，用于在碳化硅基板上形成微纳结构；所述纳米墨水打印模组设于机械平台上方，用于在碳化硅表面的微纳结构区涂覆一层金属镍的纳米墨水；所述长脉宽纳秒紫外激光模组设于机械平台上方，用于在涂覆一层金属镍的纳米墨水的碳化硅基板上形成连续的金属镍涂层。本发明的有益效果在于：通过超快激光模组形成巨大的接触表面的微纳结构，在微纳结构上涂抹金属镍的纳米墨水，最后进行长脉宽紫外激光辐照，得到欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 基板上 形成 欧姆 接触 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
