[发明专利]三维存储器的漏电分析方法及三维存储器

摘要

本公开实施例公开了一种三维存储器的漏电分析方法及三维存储器，所述三维存储器包括栅叠层结构，所述栅叠层结构包括依次交替层叠设置的绝缘层和导电的栅极层，所述方法包括：在所述栅叠层结构的第一台阶区，形成贯穿台阶上表面所述栅极层的绝缘的阻挡结构；其中，所述台阶上表面的所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述阻挡结构电隔离所述第一部分和所述第二部分；形成与所述第一部分电连接的第一导电插塞；形成与所述第二部分电连接的第二导电插塞；其中，所述第二导电插塞用于向所述栅极层传输电信号；对所述第一导电插塞进行电性检测，获取检测结果；基于所述检测结果中所述第一导电插塞呈现的图像，对所述三维存储器进行漏电分析。