[发明专利]凸块结构及制造凸块结构的方法在审
| 申请号： | 202011193620.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750705A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕;郑明达;翁明晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及凸块结构及制造凸块结构的方法。具体地，制造凸块结构的方法包括在基板上方形成钝化层。在所述基板上方形成金属衬垫结构，其中所述钝化层围绕所述金属衬垫结构。在所述钝化层和所述金属衬垫结构上方形成包含聚酰亚胺的聚酰亚胺层。在所述金属衬垫结构和所述聚酰亚胺层上方形成金属凸块。所述聚酰亚胺是二酐和二胺的反应产物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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