[发明专利]一种带相位补偿层的VCSEL结构及制备方法在审
| 申请号： | 202011196037.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112310804A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;代京京;李尉;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/183;H01S5/42;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聪源 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种带相位补偿层的VCSEL结构及制备方法，该激光器将周期分布的激光器产生的光场，经Talbot外腔和相位补偿单元，对同相模和反相模进行相位补偿，得到同相位输出的激光束。在二维二极管激光阵列的发光面设有Talbot激光外腔，Talbot激光外腔的输出端设有相位补偿膜；Talbot激光外腔的厚度d为： |
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| 搜索关键词： | 一种 相位 补偿 vcsel 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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