[发明专利]硅含量呈梭形梯度分布的负极材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011196335.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112290000B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杨辉;张文;桂思炜;艾鑫;孙永明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 石梦雅;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池领域，并具体公开了硅含量呈梭形梯度分布的负极材料及其制备方法和应用。该负极材料具有预设数量的硅/石墨涂层，并且预设数量的硅/石墨涂层中硅含量从上至下先增大后减少，呈梭形梯度分布，从而在保证负极材料载量的情况下，缓解由于大变形导致的负极材料上表面的开裂以及负极与集流器界面的脱粘。本发明提供的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料能够有效地缓解硅负极在充放电过程中体积膨胀所导致的失效问题，提高硅/石墨电极的循环稳定性，而且适用于商业化的锂离子电池，进而提高锂离子电池的循环稳定性和能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 含量 呈梭形 梯度 分布 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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