[发明专利]一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构在审
| 申请号： | 202011196946.1 | 申请日： | 2020-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112382859A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 邓云龙;朱铉彪;尹淼;邓华秋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于铟镓锌氧化物的太赫兹超材料电调控器件结构，包括衬底层和填充刻蚀于衬底层上的金属谐振环与铟镓锌氧化物层组成的微结构谐振器阵列层，金属谐振环内设置有第一微带金线；还包括通过第二微带金线与第一微带金线连接的肖特电极；还包括与铟镓锌氧化物层相接触的IGZO条和与IGZO条相连接的欧姆电极，肖特电极与欧姆电极分别位于衬底层上表面的两侧。通过改变IGZO半导体材料电导率实现对特定频率太赫兹波的透射光谱响应的调节；通过改变阵列单元中的结构尺寸，可以实现对响应波长进行较大范围的调节。双电容开口谐振环结构的太赫兹调控器件结构紧凑，制作简单，调控效率高，在太赫兹调控领域将有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 赫兹 材料 调控 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011196946.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空速管加热电缆成形装配装置
- 下一篇：一种仪器仪表修理用工具箱
