[发明专利]提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端在审
| 申请号： | 202011197899.2 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112256207A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈慧;陈纬荣;冯鹏亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端，在NOR Flash内部建立起一套逻辑地址和物理地址交换的算法，当检测到某个物理地址的擦写/编程过高时，使交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系互换，以均衡各个区块之间的擦写次数，一定程度上延长了NOR FLASH的寿命；NOR Flash内部建立一套机制可平均化各个区块的擦除/编程次数的流程，无需在NOR FLASH外部额外建立一套复杂的算法流程和额外的存储空间来记录这个地址映射，节省了系统的成本，提高了NOR Flash的擦写次数。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 非易失型 闪存 擦写 寿命 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
【主权项】：
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