[发明专利]一种高稳定快擦写图案化的聚合物存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011200011.6 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112259685B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘举庆;尹宇航;刘正东;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K10/82;H10K71/12;H10K71/16 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 范星 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机电子器件与信息存储技术领域，特别涉及一种高稳定快擦写图案化的聚合物存储器及其制备方法。本发明的存储器包括导电基底、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层包括表面具有孔洞的图案化的共轭微孔聚合物，采用特定方法制备得到。采用本发明的制备简单经济，原料易得，且可直接形成任意图案化，具有良好的紫外辐射、环境稳定性，而且存储器擦写速度快，达到纳秒级别。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 擦写 图案 聚合物 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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