[发明专利]改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法在审
| 申请号： | 202011201722.5 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112382562A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 孟晓莹;张彦伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，包括：步骤一、提供需要进行离子注入的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有场氧，在有源区上形成有栅极结构，栅极结构的侧面形成有氮化硅侧墙；步骤二、进行涂胶前预处理，涂胶前预处理采用合成气体或者采用合成气体和氮气的混合气体对半导体衬底表面进行处理；步骤三、进行光刻工艺，包括光刻胶的涂胶、曝光和显影工艺，显影后形成光刻胶图形；步骤四、进行所述离子注入；步骤五、去除光刻胶图形。本发明能同时消除栅极结构的氮化硅侧墙对光刻胶的氮中毒影响以及消除有源区和场氧的光发射率不同而使光刻胶产生底部缺角的缺陷，能使器件的性能得到保证，且工艺简单以及成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 离子 注入 光刻 形貌 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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