[发明专利]一种二氧化硅刻蚀工艺方法在审
| 申请号： | 202011202119.9 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112429738A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吴晓林;刘红亮;殷鹏刚;陈华祥;刘彩艳 | 申请（专利权）人： | 山东联科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C25F3/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京翔石知识产权代理事务所(普通合伙) 11816 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 262514 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二氧化硅刻蚀工艺方法，所述的刻蚀工艺方法具体包括以下步骤：(1)将二氧化硅以及离子液体加入电解槽中；(2)通入电流，进行电解操作；(3)电解反应结束后，将生成的多孔二氧化硅产品进行洗涤、烘干，得到最终产品。本发明通过在离子液体媒介中进行电化学刻蚀二氧化硅得到表面具有镂空结构的二氧化硅产品，刻蚀后的产品具有孔径大，负载能力强的优点，在医药载体、生物保健方面具有重大潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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