[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备包括：在半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括核心区域及台阶区域，刻蚀台阶区域以形成N个子台阶区，且各所述子台阶区环绕一台阶中心布置，N个子台阶区形成M级数台阶，N和M均为大于等于3的整数，另外，台阶区域中还形成有桥接区。本发明的三维存储器结构及其制备方法，可以将台阶区域做成至少三个分区的台阶，且台阶可以做成圆形台阶，在每一圈台阶上对应不同的分区，利用台阶的设计在不同的分区做台阶接触孔；通过绕台阶中心环绕布置的子台阶区，有利于应力分散；另外，还可以在台阶刻蚀中有效形成桥结区实现台阶区域与核心区域的电连接。