[发明专利]一种自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011204947.6 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112331492A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋鹏;范月华;郑菲;印旭超 | 申请（专利权）人： | 马鞍山安慧智电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 周卫 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 发明公开了一种自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法，其制备步骤包括如下：自支撑多孔硅的制备，采用p型单晶硅的多步阳极氧化腐蚀为自支撑多孔硅；ZnO籽晶的生长，利用真空抽滤氧化锌溶液分散于多孔硅层之间，在氩气氛围下生长为氧化锌籽晶；复合材料的制备，水热合成法促进多孔硅层之间的氧化锌籽晶生长为纳米氧化锌层，形成一种微纳多孔硅/ZnO复合材料。本发明通过单晶硅多步阳极氧化腐蚀法，来实现多孔硅片层的生长和剥离；通过多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化，改善了多孔硅表面高电阻和高反应活性，大大提高了多孔硅的电容特性和电化学稳定性，拓宽了多孔硅在超级电容器领域的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 多孔 zno 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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