[发明专利]一种低压低温单片式工艺外延机台在审
| 申请号： | 202011206043.7 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112133656A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 郑锦 | 申请（专利权）人： | 南京原磊纳米材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 于刚 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体硅锗外延设备领域，具体是一种低压低温单片式工艺外延机台，包括：石英反应腔，在石英反应腔四周加设有多组反射板，而反射板利用上下包围分布在石英反应腔四周的环形的加热灯泡组对石英反应腔加热，其中，加热灯泡组中包含有环形灯丝；以及，反射板利用其表面铺设有的反射涂层对加热灯泡组发出的热量进行反射，并把热量全覆盖无死角集中至石英反应腔中；石英反应腔进行工作时，反射板利用反射涂层反射加热灯泡组发出的热量，并把热量集中至石英反应腔中，进行加热，通过调控多组反射板以及安装在反射板内部的加热灯泡组，来调控加热功率，来达到温度均匀性的效果；提高发光效率和热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 低温 单片 工艺 外延 机台 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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