[发明专利]半导体封装件以及相关方法在审
| 申请号： | 202011210389.4 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112786456A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;林育聖;陈良彪 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体封装件以及相关方法。实施例公开了一种用于形成半导体封装件的方法，该方法包括提供与第一金属层耦接的第一绝缘体层。凹槽形成于该第一金属层中，并且半导体管芯机械地耦接在其中。该管芯与第二金属层机械地耦接，并且该第二金属层与第二绝缘体层耦接。该管芯和该层被至少部分地密封以形成该半导体封装件。该第一金属层和/或该第二金属层可为绝缘体‑金属衬底、金属‑绝缘体‑金属(MIM)衬底，或者可由引线框架形成。在实施方式中，该封装件不包括该管芯与该第一金属层之间的间隔件，并且不包括该管芯与该第二金属层之间的间隔件。在实施方式中，该第一绝缘体层和该第二绝缘体层通过密封剂暴露，或者与通过该密封剂暴露的金属层机械地耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 以及 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
