[发明专利]传感器封装结构及方法在审
| 申请号： | 202011210950.9 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114436203A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈达;刘孟彬 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H01L35/02;H01L35/34;H03H9/46 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种传感器封装结构及方法，其中，传感器封装结构包括：CMOS电路基板，包括CMOS电路及第一电性连接端；检测结构，包括功能单元及电性引出端；第一围堰，位于CMOS电路和检测结构之间，CMOS电路、第一围堰和检测结构围成第一空腔，第一空腔至少包围部分功能单元；电连接结构，设置于CMOS电路的第一围堰暴露的区域，且将电性引出端与第一电性连接端相连。本发明通过将CMOS电路与检测结构键合，以实现集成封装，以大大缩减封装体积，提高集成度；另外，第一围堰和电连接结构分开设置，电连接结构不必依赖第一围堰形成，在工艺和时间上都比较灵活，降低了CMOS电路在形成空腔和电连接工艺条件的限制，扩大了工艺窗口，并缩短了工艺制程时间。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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