[发明专利]受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法有效
| 申请号： | 202011213445.X | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112103348B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 晁阳;钟定国 | 申请（专利权）人： | 宁波群芯微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;张振军 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法，所述受光芯片包括：原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；多个焊盘，位于所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面；多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面。本发明可以有效满足对光电耦合器的小、轻、薄的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 及其 形成 方法 光电 耦合器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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